存储芯片行业深度报告：存储市场柳暗花明

1.1.存储芯片是市场规模巨大的集成电路产品之一

（1）存储芯片属于半导体中集成电路的范畴，是目前应用面最广、标准化程度最高的 集成电路基础性产品之一。半导体按照产品分类可分为光电器件、传感器件、分立器件和 集成电路四大类，占半导体价值量比例最高的为集成电路，约占整个半导体行业市场规模 的 82.64%，其主要包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种。根据 WSTS 的数据，2022 年全球半导体市场规模为 5740.84 亿美元，集成电路占比达 83%， 其中存储芯片市场规模为 1297.67 亿美元，占整个半导体行业的 23%，由此可以看出，存 储芯片和逻辑芯片在整个半导体产业链中贡献的价值量最大。

（2）存储设备是计算机系统中用于存储和读取数据的硬件组件，按存储介质不同可分 为光学存储、磁性存储和半导体存储。光存储器是指用光学方法从光存储媒体上读取和存 储数据的一种设备，一般指光盘机、光带机和光卡机等；磁性存储，是指利用磁能方式存 储信息的磁介质设备，其存储与读取过程需要磁性盘片的机械运动，目前广泛应用于 PC 硬盘、移动硬盘等领域；存储芯片，又称为半导体存储器，是指利用电能方式存储信息的 半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U 盘、 消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。按照断电后是否保留存储的信息，存储芯片 主要可分为易失性存储芯片（RAM）和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 为随机存储器， 断电后不会保存数据，主要产品包括 SRAM 和 DRAM，DRAM 即动态随机存储器，使用 电容存储，DRAM 的一个比特使用一个电容和一个晶体管存储，由于电容会漏电，因此需 要定时刷新一次存储单元来保持数据；SRAM 即静态随机存储器，其内部结构比 DRAM 复 杂，可以在不刷新电路下保存数据。ROM 是一种存储固定信息的存储器，在正常工作状态 下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据，在外部电源切断后仍能保存数据，读取 速度较慢但存储容量更大，主要包括 EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）、Flash (闪 存芯片)、PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)等。

（3）根据具体的功能，可以将计算机中的存储器细分为寄存器、高速缓存、主存储器、 磁盘缓存、固定磁盘、可移动存储介质等 6 层。从 CPU Cache、内存到 SSD 和 HDD，构 成了计算机的存储体系，各层只和相邻的层交换数据，随着层级由高到低，设备容量变大、 离 CPU 距离变远、访问速度变慢、传输时间变长，并且每字节的造价成本也越来越便宜。 CPU 中的寄存器位于最顶部，记为 L0，它使用 SRAM 芯片做成，集成在 CPU 的内部，其 容量有限、速度极快、和 CPU 同步；缓存是一种小而快的存储器，一般作为 DRAM 的缓 冲，采用 SRAM 技术实现，通常也会被集成在 CPU 内部；主存一般由 DRAM 组成，和 SRAM 不同，其存储密度更高，容量更大，价格更低，速度也更慢。综合来看，SRAM 价 格贵、速度快，DRAM 价格便宜、容量更大，SSD 和 HDD 硬盘作为外部存储设备容量更 大、成本更低、离 CPU 更远、访问速度更慢。

（4）DRAM 和 FLASH 是目前市场上最为主要的存储芯片。FLASH 可分为 NOR 和 NAND 两种，两者区别在于存储单元连接方式不同，导致两者读取方式不同，NAND 由于 引脚上复用，因此读取速度比 NOR 慢一点，但是擦除和写入速度比 NOR 快很多；NAND 内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低，市场上一些大容量的 FLASH 都 采用 NAND 型，例如 SSD、U 盘、SD 卡、EMMC。小容量的 2～12M 的 FLASH 多是 NOR 型，NOR 比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行。相比于 Flash 与 Nor，DRAM 具有较高读写速度、存储时间短等优势，但单位成本更 高，主要用于 PC 内存(如 DDR)、手机内存(如 LPDDR)和服务器等设备等。

1.2.垂直分工和并购加速产业链整合

（1）存储芯片是半导体产业的重要分支，下游应用空间广阔。存储芯片行业产业链上 游参与者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商和光刻 机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备、封测设备等半导体设备供应商；产业链中游为存 储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和封测，常见的存储芯片包括 DRAM、 NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片等；产业链下游为消费电子、汽车电子、信息通信、人 工智能等应用领域内的企业，各类电子化和智能化设备都离不开存储芯片应用。

（2）存储芯片按照制造流程又可细分为一条完整的产业链。存储芯片产业链主要由集 成电路设计、晶圆制造、封装和测试、模组厂商集成等环节组成，从经营模式来看，主要 分为 IDM 和垂直分工模式。IDM 模式指企业业务覆盖 IC 设计、制造、封装和测试的所有 环节，大部分国际存储芯片大厂均为 IDM 模式，例如东芝半导体、三星半导体、飞索半导 体、美光科技等大型跨国企业。另一种模式为垂直分工模式，即 Fabless（无晶圆制造的设计公司）+Foundry（晶圆代工厂）+OSAT（封装测试企业），Fabless 模式是指无晶圆 生产线集成电路设计模式，即企业只进行集成电路的设计和销售，将制造、封装和测试等 生产环节外包，例如高通、联发科、AMD、华大半导体等；Foundry 即晶圆代工厂，它是 一种只负责芯片制造，不负责芯片设计环节的一种产业运作模式，这类企业典型代表为台 积电、联电、中芯国际等；OSAT 指专门从事半导体封装和测试的企业，比如日月光、 Amkor、长电、通富微电等。

（3）垂直分工模式进一步深化，降低成本同时显著提升产业运作效率。IDM 模式下， 企业投入大量资金用于晶圆制造设备和生产线的建设，内部各环节协同生产，整体规模效 应显著，毛利率也会上升；但 IDM 模式下，企业内部管理成本增加，因此，IDM 模式适合 规模巨大的企业。Fabless 模式注重轻资产运营，更为灵活，可以充分利用半导体产业链 资源，集中主要精力用于产品研发和技术迭代，适应激烈的市场竞争环境，快速发展，缺 点是无法实现工艺协同，同时需要承担各种市场风险，相对来说适合小企业经营。存储芯 片标准化程度较高，国际巨头大部分采取 IDM 模式运行，国内存储企业由于规模较小，刚 开始从小众市场切入，多数采用 Fabless 模式，随着企业规模的扩大，长期或将向 IDM 模 式转型。近些年，国内大型存储项目长江存储、合肥长鑫、福建晋华均是 IDM 模式的大型 晶圆厂布局。

（4）行业发展和技术升级驱动产业链模式变化，并购加速产业链整合。在台积电成立 以前，半导体行业只有 IDM 一种模式，经过半个多世纪发展，全球半导体产业链逐步朝向 分工和整合趋势发展。1）产业链分工：摩尔定律推动半导体行业技术不断更新迭代，同时 带动生产制造设备的升级改造，先进工艺晶圆厂资金投入增加，Foundry 模式能最大化的 分摊技术升级成本和利用产能，提高资本支出的收益率。IDM 企业为了减少投资风险、轻 资产化，逐渐采取 Fablite（轻晶圆厂）策略，将部分非核心和高难度工艺制造业务转为第 三方代工，自身保留其余制造业务。2）产业链整合：半导体行业进入新的发展阶段，通过 并购，企业间可以基于业务层面的协同互补，扩展产品条线和客户群体，缩减成本的同时 实现更强的供应链溢价，提升行业市占率。因此，随着技术进步，全球分工模式越来越多， 同时，大企业不断成长又不断合并为 IDM 模式，产业循环往复，推动全球技术不断推进。

1.3.存储产业在空间上经历两次迁移

（1）存储芯片产业发源于美国，此后经历过两次大的产业转移。进入 1960 年代后， 随着计算机技术的发展，电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试，存 储芯片产业链从垂直整合到垂直化分工越来越明确，并经历了两次空间上的产业迁移，迁 移路径由美国至日本再到韩国。1）美国：行业市占率居前的主要厂商也随着产业迁移发生 了明显的变化，最开始由美国加州的 Advanced Memory System 公司生产出了世界上第一 款 DRAM 芯片（容量仅有 1KB），随后英特尔、德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、美 光等存储厂商逐渐发展壮大。2）日本：1976 年，为了发展半导体技术领域，日本通过举 国体制，成立了 VLSI 联合研发体，随后成功研制出 64K DRAM，追平了美国研发进度； 到了 1980 年代，日本厂商凭借质量和价格优势，开始反超美国，市占率逐渐达到全球第 一；1985 年，美苏冷战气氛不断减弱，日美贸易摩擦不断增加，美国开始对日本经济实施 打压，在陆续的施压下，日本存储芯片市场份额一落千丈，很快丧失了主导权。3）韩国：韩国企业抓住了美日半导体竞争的契机，在美国的技术转让和市场准入扶持下，三星电子 脱颖而出，逐渐赶超日本。

（2）存储市场加速发展，国内厂商异军突起。2016 年之前，国内没有生产 DRAM、 Flash 的能力，直到合肥长鑫、长江存储成立。2019 年，中国大陆公司开始全面进军存储 器市场，长江存储 64 层 3D NAND Flash 进入量产阶段，紧接着合肥长鑫宣布中国大陆第 一座 12 英寸 DRAM 工厂投产，并宣布首个 19 纳米工艺制造的 8Gb DDR4。三年时间里， 国内相继攻克了 3D NAND Flash 和 DRAM 技术，在一定程度上打破了内存和闪存制造国 际寡头垄断的局面。国内存储芯片起步晚，要实现全球领先任重道远，先进制造技术仍掌 握在国际大厂的手里，因此，存储芯片产业发展需要长期的资金投入和技术革新，解决生 产制造中不良率的下降以及产能的上升，提高性能指标。

1.4.存储芯片技术发展趋势

（1）DDR、LPDDR、GDDR 是基于 DRAM 的三种内存规范或标准。固态技术协会 （JEDEC） 定义了三种 DRAM 标准类别，帮助设计人员满足目标应用的功耗、性能和规 格要求。标准 DDR：面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用，支 持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸，其发展路线通过提升核心频率来提高 性能。移动 DDR（LPDDR)： 面向移动式电子产品和汽车这些对规格和功耗非常敏感的领 域，提供更窄的通道宽度和多种低功耗运行状态，四代之前是基于同代 DDR 发展，四代之 后是基于应用端独自发展，通过提高 Prefetch 预读取位数来提升性能。图形 DDR (GDDR)： 面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序，例如图形相关应用程序、数据中心加速和 AI， 是应用于高端显卡的高性能 DDR 存储器，侧重于数据位宽、远超同期 DDR 的运行频率。

（2）DDR 因其性能和成本优势成为目前 PC 和服务器端主流内存。SDRAM 也可称 为 SDR SDRAM，即单倍数据传输率，SDR SDRAM 的核心、I/O、等效频率皆相同，在 1 个周期内只能读写 1 次，若需要同时写入与读取，必须等到先前的指令执行完毕，才能接 着存取。DDR 是用于系统的 RAM 技术，规范名称为 DDR SDRAM，即双倍速率同步动态 随机存储器，其特点是高带宽、低延时，DDR 总线每个通道是 64bit 宽度，每根 Data 的管 脚可以进行读操作或写操作（不同时）。目前已推出的 DDR1-DDR5 是由 JEDEC 制定的产 品标准，从 DDR1 到 DDR5 的演进路线来看，DDR 的能耗越来越低，传输速度越来越快、 存储容量也越来越大，目前的最新标准是 DDR5，起步速率为 4800MT/S，最高可达 6400 MT/S，电压则从 1.2V 降至 1.1V，功耗减少 30%。目前，三星已经率先开始了下一代 DDR6 内存的早期开发，预计其 DDR6 设计将在 2024 年之前完成，在 2025 年之后开始商 业应用。

（3）受益于终端需求快速发展，LPDDR 和 GDDR 步入高速迭代期。LPDDR，即低 功率双倍速率同步动态随机存储器，是 DDR SDRAM 的一种，又被称为 mDDR（Mobile DDR SDRAM），拥有比同代 DDR 内存更低的功耗和更小的体积。目前智能手机普遍使用 的 LPDDR5 内存标准是 2019 年 2 月由 JEDEC 协会正式发布，相较于上一代 LPDDR4 标 准，LPDDR5 的 I/O 速度提升到 6400 MT/s，是 LPDDR4 速度的两倍，比 LPDDR4X 的 4266MT/S 快了 50%。GDDR，是用于显示的 RAM 技术，其特点是高带宽、高延时，目 前最新的标准是 GDDR6，2022 年 7 月，三星推出了首款具有 24Gbps 处理速度的 GDDR6 显存。

（4）DRAM 的先进制程工艺已经缩小到 15nm 以下，各大厂商继续向 10nm 逼近。 从制程工艺的进展来看，早前 DRAM 产品的更新时间大致在 3 到 5 年更新一代，在步入 20nm 以内突破进展呈现放缓趋势，10nm~20nm 系列制程至少包括六代，大约每两年实现 一次突破。由于电路结构是三维的，使用线性的衡量方式并不适合，存储行业通常使用 1X、 1Y、1Z、1α、1β、1γ 之类的术语表达制程。国际存储大厂三星电子、SK 海力士和美光相 继在 2020 年后进入 1Znm 阶段，美光 1βnm DRAM 在 2022 年 11 月实现量产，并率先应 用在智能手机端的 LPDDR5X；三星在 2022 年 12 月底推出 12 nm DRAM，功耗较前一代 降低 23%；SK 海力士最新一代 DRAM 为 1a nm，预计 2023 年将会实现 1b nm（即 12 nm）DRAM 的量产。中国本土 DRAM 厂商主要有合肥长鑫、紫光国芯、兆易创新、东芯 股份和福建晋华等，兆易创新依托合肥长鑫的代工资源，2021 年推出首款自研 4Gb DRAM，采用 19nm 制程工艺，目前即将推出 17nm 产品；北京君正采用中国台湾力晶、 南亚科技的 25nm 工艺平台；紫光国芯、东芯股份等最新工艺制程为 25nm。

（4）分季度来看，2022 年成为拐点，存储市场规模增长步入尾声。三年疫情期间， 存储市场需求上升，市场规模增长较快，据 CFM 闪存市场预计，2021 年 Q3 DRAM 市场 规模增长 9%至 264 亿美元，NAND Flash 市场规模增长 15%达到 186 亿美元，之后 DRAM/NAND 市场规模开始下降，到 2022 年 Q4 存储市场规模已经回到 2019 年 Q1、Q2 的周期底部水平，在淡季效应下 2023 年一季度环比续跌，二季度或为 2023 年最低点，预 计从 2023 年下半年起，存储市场规模将逐季增长，在需求改善的前提下有望回到之前的 增长速度和市场规模。

2.2.消费类终端设备搭载存储容量持续增长

（1）存储下游应用空间广泛，主要以消费电子和服务器为主。存储器产业链下游涵盖 智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域， 不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、功耗、尺寸、稳定性、 兼容性等多项内容，由此也形成了不同的产品形态。DRAM 中，LPDDR 主要与嵌入式存 储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑 产品，DDR 主要应用于服务器、个人电脑等，DRAM 市场需求主要以手机、PC 和服务器 为主，2021 年占比分别为 35%/16%/33%。NAND Flash 包括嵌入式存储（用于电子移动 终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）和移动存储（便携式存储场景）等，其中 嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场包括服务 器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域，2021 年，应用于 mobile 端的嵌入 式存储产品、应用于 PC 端的 cSSD 和应用于服务器端的 eSSD 产品分别占比 34%、22% 和 26%。

（2）作为存储芯片下游重要的细分市场，智能手机景气度成为存储市场发展的核心驱 动力之一。随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，手机 ROM 和 RAM 分别成为嵌入式 NAND Flash 和 DRAM 的核心市场。得益于 3G/4G 通信网络的建设，全球智能手机 市场出货量从 2010 年的 3.05 亿台迅速递增至 2016 年的 14.73 亿台，2017 年开始智能手 机市场趋向饱和，主要是 4G 智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受 存量市场手机单位存储容量增长驱动。2019 年是 5G 商用化元年，随着 5G 逐渐普及，新 一轮的换机周期开启，智能手机终端新需求进一步打开。

（3）存储芯片价格下跌，助推终端厂商容量配置升级。智能手机对于存储芯片需求不 只取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。目前主流智能手机的存储容量为 256GB 至 512GB，缓存容量为 8GB 至 12GB，随着 5G 手机渗透率的逐步提升，智能手 机的性能进一步升级，单台智能手机的 RAM 模块（LPDDR）和 ROM 模块（嵌入式 NAND Flash）均在经历持续、大幅地提升。RAM 扩容是 CPU 提升处理速率的必要条件， 功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序， 且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手 机 ROM 扩容。2023 年智能手机在生产数量上增长平缓，平均搭载容量增加为移动端 NAND 需求增长的主要驱动力，集邦咨询预计随着 UFS 价格回调，2023 年 Q4 256GB 占 比有望突破 30%。

（4）PC 市场需求有所回落，单台设备存储容量持续增加。三年疫情带来工作、生活 方式的转变，而平板、笔记本电脑等也因远程办公、在线教育场景需求，出货量大幅增长， 2020 年、2021 年出货量同比增长 13.47%和 15.27%，但疫情并非长期性事件，PC 需求 量持续高速增长存在较大不确定性，2022 年开始需求已经回落。由于 SSD 的制造成本较 高，PC 端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD），近年来，随着 NAND Flash 单位存储 经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格， SSD 对 HDD 的替代效应显著。同时，PC 与其他消费电子产品相同，正在经历性能和数据 存储需求的持续增长，随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦 持续增加。

2.3.AI&汽车电子驱动下游景气复苏

（1）数据规模持续增长，给存储行业带来较大的成长空间。传统存储面对的应用主要 是数据库、文件和流媒体等传统应用，在新兴技术驱动下，存储主要面对的是云计算、大 数据和人工智能等大规模数据应用场景。据 IDC 预测，2025 年，全球数据量将达到 175ZB，5 年年均复合增长率 31.8%，而数据中心存储量占比将超过 70%。从全球市场来 看，2017-2022 年全球数据中心市场保持平稳增长趋势，市场规模从 465.5 亿美元增长至679.3 亿美元，五年内的年均复合增长率为 9.91%，预计 2023 年全球数据中心市场规模将 进一步增至 820.5 亿美元。随着我国各行业数字化转型的深入推进，我国数据中心市场规 模也将保持持续增长态势，预计 2023 年市场规模将达到 2470.1 亿元。一方面互联网巨头 纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模 快速增长。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下，服务器数据存储的市场规模 将继续快速增长，存储板块的需求也将大幅增加。

（2）“东数西算”工程全面实施，服务器存储市场有望进一步打开。2021 年 5 月，国 家发展改革委、中央网信办、工业和信息化部、国家能源局联合印发《全国一体化大数据 中心协同创新体系算力枢纽实施方案》，2022 年 2 月，京津冀、长三角、粤港澳大湾区、 成渝、内蒙古、贵州、甘肃、宁夏 8 地启动了建设国家算力枢纽节点，并规划了 10 个国家 数据中心集群，依托 8 大算力枢纽和 10 大集群，更好引导数据中心集约化、规模化、绿色 化发展，促进东西部数据流通、价值传递，带动数据中心相关产业由东向西有效转移。国 家东数西算战略不断取得进展，预计到 2025 年，韶关数据中心集群将建成 50 万架标准机 架、500 万台服务器规模，投资超 500 亿元。东数西算战略聚焦于算力和数据存储，工程 的实施有望进一步拉动服务器数据存储的总体市场规模，国产企业级 SSD 厂商有望打开增 量空间。

（3）生成式 AI 市场迅速扩张，提高了对 AI 服务器内存的需求。随着人工智能产业加 速发展，全球主要国家和地区纷纷加快 AI 基础设施布局， AI 服务器通常由 CPU 搭载GPU、FPGA、ASIC 等加速芯片组成，以满足高吞吐量互联的需求，是人工智能基础设施 的核心。2022 年全球 AI 服务器市场规模约为 183 亿美元，预计 2023 年全球 AI 服务器市 场规模增长 15.30%，将达 211 亿美元。2022 年全球 AI 服务器出货量约占整体服务器比重 近 1%，约为 14.5 万台，预计 2023 年出货量将达 15 万台，到 2026 年将增长至 22.5 万台。 AI 大模型等人工智能技术发展，引发了对服务器算力需求的进一步增长，智能算力需求爆 发式增长意味着需要搭载更大的存储容量以提升处理速度，同时带动存储芯片需求成长。

（4）汽车存储市场发展迅速，主要以智能座舱和 ADAS&AD 为主。根据 Yole 报告， 2021 年，汽车存储器市场规模达到 43 亿美元，占全球存储器市场收入的 2.6%，占汽车半 导体的 10%。汽车存储器 2021 到 2027 年的年均复合增长率为 20%，超过同期存储器市 场和汽车半导体市场的增速。汽车存储市场由 NAND 和 DRAM 主导，合计份额为 80%， 其中 DRAM 为 41%，NAND 为 39%，NOR Flash 在汽车领域表现的占有率较高，市场份 额为 15%。具有信息娱乐单元、仪表盘和连接性的驾驶舱是目前主要的汽车存储用户， 2021 年占比达到 71%，ADAS&AD 紧跟其后，成为第二大车载内存用户，2021 年占收入 的 24%，动力总成、底盘和安全以及车身和舒适性等其他领域合计占需求的 5%。预计到 2027 年，智能座舱仍将是存储领域主要消费者，但 ADAS&AD 的收入份额将增至 36%， 技术方面，DRAM 和 NAND 将占汽车内存收入的 90%左右。

（5）自动驾驶等级越高，对车载存储容量、密度和带宽的需求也大幅提升。车载市场 目前主要的存储应用包括 DRAM（DDR、LPDDR）和 NAND（eMMC 和 UFS 等），其中 低功耗的 LPDDR 和 NAND 将是主要增长点。高等级自动驾驶汽车对于车载存储容量、密 度和带宽的需求更高，将需要采用更高带宽的存储器如 LPDDR5、GDDR6 等，以简化系 统设计。以 NAND Flash 为例，主要用于 ADAS 系统、IVI 系统、汽车中控等，作用在于存储连续数据，随着自动驾驶等级提升，ADAS 系统对 NAND 容量需求增长显著，L1/L2 级 ADAS 一般只需主流 8-64GB 的 eMMC，L3 级则提升至 128/256GB，L5 级最高可能超过 2TB，可能进一步采用 PCIe SSD。

3.1.存储芯片市场行业集中度较高

（1）DRAM 和 NAND Flash 市场集中度高，呈现寡头垄断格局。根据 Yole 数据， 2021 年全球存储市场中，DRAM 占比为 56.3%，NAND 占比为 40%，目前 DRAM 芯片的 市场格局由三星、SK 海力士和美光三家存储厂商主导，CR3 市场占有率合计已超过 95%， 最新数据来看，2023 年 Q2 三星电子占全球 DRAM 市场营收的 38.14%，SK 海力士占比 达 32.29%，美光的市占率也达到 25.03%，市场高度集中，寡头垄断的格局使得国内厂商 对 DRAM 芯片议价能力很低，也使得 DRAM 芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品 之一。NAND Flash 市场经过几十年的发展，逐渐形成了由三星电子、铠侠、西部数据、 美光、SK 海力士等组成的稳定市场格局，2023 年 Q2 三星电子、铠侠、SK 海力士、西部 数据、美光的营收占比分别为 30.18%、20.05%、18.25%、15.09%、11.10%，CR5 合计 市占率达 95%，国内的长江存储也在慢慢进入 NAND 市场，但市占率相对较低。

（2）NOR 行业经历二十多年演变，头部厂商经历多次洗牌。2003 年由 AMD 和富士 通整合各自的闪存业务合并成立飞索半导体，后逐渐发展为 NOR Flash 领域头部厂商，然 而在 2009 年，公司申请了破产保护，三星电子也在 2010 年开始宣布退出 NOR 市场，由 英特尔和意法半导体在 2008 年合资成立的恒亿也在 2010 年被美光收购。全球 NOR 市场 空间经过较长时间的下行，国际巨头美光和赛普拉斯于 2017 年先后宣布逐步退出中低容 量的消费电子市场，美光和赛普拉斯的退出使华邦、旺宏和兆易创新的份额开始上升，另 外产能的减少也改善了市场的供需关系，2017 年之后，全球 NOR Flash 市场被旺宏、华 邦、赛普拉斯、美光和兆易创新垄断。

（3）国际存储巨头相继退出 NOR Flash 市场，龙头占据主要份额。NOR Flash 属于 利基型存储，在全球存储市场份额很小，根据 Yole 数据，2021 年全球存储市场中，NOR 占比仅为 2.1%。2015-2021 年，受 5G、TWS 等新智能设备，以及居家办公、远程教育等 需求带动，NOR Flash 市场规模保持稳定增长，2021 年市场规模达到 28.84 亿美元，同比 增长 15.36%，其中旺宏、赛普拉斯、华邦、美光和兆易创新成为 NOR Flash 全球前五大 供应商，2017 年占据全球 92%以上的市场份额。随着 2017 年国际存储巨头美光、赛普拉 斯相继退出低端 NOR 市场，华邦、旺宏、兆易创新则逐渐占据 NOR Flash 剩余的主要市 场份额，2021 年三家存储厂商的市占率分别为 35%、33%和 23%，CR3 合计市占率达到 91%，国内厂商例如普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等也迅速加入市场。

（4）国内厂商加快产业链布局，聚焦利基型存储市场。存储芯片行业属于技术密集型 产业，全球存储芯片市场基本均被韩国、日本以及美国等国家垄断，国内存储芯片行业起 步晚，缺乏技术积累，国内厂商除合肥长鑫和长江存储外，大部分聚焦于利基型市场，与 国际龙头展开错位竞争。国内代表性存储芯片设计及制造企业包括兆易创新、长江存储、 长鑫存储、武汉新芯、普冉股份等，近年来，中国紫光集团旗下长江存储、武汉新芯，以 及兆易创新及其合作厂商合肥长鑫等在 DRAM 和 Flash 领域逐渐突破技术壁垒，存储芯片 供给格局正在悄然变化，从过去高度依赖进口，到国产品牌逐渐开始占据市场。尽管目前 国内存储芯片产业整体发展与海外巨头仍然存在差距，各家存储芯片产品仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产，但随着国内厂商不断取得关键性技术突破，市场有望迎来黄金 发展期。

3.2.国内外存储厂商业绩普遍承压

（1）需求疲软及客户调整库存，三星电子存储业绩大幅下滑。三星电子是全球存储行 业龙头厂商，DRAM 和 NAND Flash 的市占率均位列全球第一。三星电子成立于 1969 年， 1974 年三星收购了韩国半导体公司 50%的股份并于 1979 年收购了剩余股份，改名三星半 导体，并于 1980 年与三星电子合并，进一步巩固了三星电子在半导体制造领域的统治地 位。根据三星电子公布的财报数据，2022 年 Q3 开始，三星电子业绩开始出现下滑，公司 2023 年 Q2 实现营业收入 60.01 万亿韩元，同比-22%/环比-6%；实现营业利润 0.67 万亿 韩元，同比-95.26%/环比+4.69%。其中，存储业务营收为 8.97 万亿韩元，同比-57%/环比 +1%，存储市况恶化使得三星电子整体业绩回落，不仅存储营收急速下滑，而且存储所在 的 DS 部门 2023 年 Q2 亏损 4.36 万亿韩元，上季度亏损 4.58 万亿韩元，环比亏损收窄。

（2）美光 2023 年 Q3 业绩环比改善，AI 领域拉动存储芯片需求增加。美光科技是全 球领先的 DRAM 供应商之一，同时也是 NAND 闪存市场的领军企业之一，其存储芯片行业市占率全球领先。公司成立于 1978 年，总部位于美国爱达荷州博伊西市，最初是生产 DRAM 芯片的专业厂商，随着技术不断升级和业务范围的扩大，美光科技逐渐成为了集计 算存储、移动存储、服务器、网络与通信、工业与汽车等多个领域的智能存储解决方案提 供商。公司 2023 财年第三财季实现营业收入 37.52 亿美元，同比下降 56.58%，其中 DRAM 占营收比重的 71%，NAND 占 27%；三季度调整后运营亏损 14.69 亿美元，市场 预期亏损 16.9 亿美元，较上季度亏损 20.77 亿美元显著收窄。受益于生成式人工智能技术 的加速普及，人工智能服务器对于内存芯片和存储芯片市场需求拉动，叠加上游减产和渠 道清库存，传统的个人电脑和智能手机市场，存储芯片供大于求的难题有所缓解，存储芯 片行业开始逐渐回温。

（3）AI 推动高端存储产品销售增加，SK 海力士二季度营收亏损收窄。SK 海力士成 立于 1983 年，公司主要生产和提供电脑和移动产品等 IT 设备必需的 DRAM 和 NAND 闪 存产品，在世界 IT 产业中占据主导地位，是世界第二大内存芯片厂商。自 1984 年生产 16Kb SRAM 以来，之后持续提供世界最小、最高速、最低电压的内存半导体，随着移动 端和 PC 端用户量日益增多，对内存芯片的需求也越来越多，SK Hynix 加速产品布局，技 术发展层层突破。公司 2023 财年第二财季实现营收 7.31 万亿韩元，较一季度 5.09 万亿韩 元环比增长 44%，同比减少 47%；经营亏损 2.88 万亿韩元，相比去年同期是由盈转亏， 环比收窄 15%；净亏损 2.99 万亿韩元，净利润率-41%优于 Q1 和去年 Q4。尽管 PC、移 动端市场弱势，DDR4 等普通 DRAM 价格持续下降，但随着以 ChatGPT 为中心的生成式 AI 市场的扩大，用于 AI 服务器的存储器产品需求强势，HBM3、高性能 DDR5 和 LPDDR5 DRAM 等高价格、高配置产品销售增加，DRAM 整体 ASP 比第一季度有所提高。

（4）国内存储厂商经营状况下滑，多数业绩表现不佳。面对全球消费电子行业需求疲 软、产业库存较高、全球通胀、新冠疫情、经济放缓等多重因素叠加，半导体存储行业需 求下滑，存储产品价格下滑，市场整体表现下行趋势。国内存储厂商财务表现来看，大多 数厂商出现营收、归母净利润下滑，盈利水平下降，个别厂商如聚辰股份，把握 DDR 内存 模组换代升级以及汽车级 EEPROM 芯片供应短缺带来的市场发展机遇，应用于 DDR5 内 存模组、汽车电子及工业控制等高附加值市场的产品于 2021 年第四季度起大批量供货， 带动公司收入规模和资产规模持续扩张。随着 2023 年下半年消费端需求逐步恢复，存储 芯片价格逐渐回暖，各厂商库存水平恢复正常，存储厂商业绩情况有望呈现阶段性恢复。

3.3.头部存储厂商纷纷缩减资本开支

（1）存储大厂纷纷缩减资本支出，降低产能利用率以调配供需平衡。根据 IC insights 数据显示，全球半导体资本支出在 2021 年增长 35%，2022 年增长 19%后，预计 2023 年 下降 14%，达 1560 亿美元。细分来看，在存储领域，以 SK 海力士和美光科技为首的存 储芯片厂商对半导体投资支出显著下滑，其中，SK 海力士在 2023 年降低 50%资本支出， 美光在 2023 年资本支出下降 42%，存储厂商龙头三星电子 2022 年只增加了 5%的资本支 出，2023 年维持上年同等水平。当前，存储市场处于下行周期，全球存储厂商面临价格下 降、产业本身的周期属性以及外部经济环境下行因素，为应对持续低迷的存储芯片市场， 三星电子、美光科技、SK 海力士、西部数据等存储芯片大厂都宣布将于 2023 年大幅度减 产、削减资本开支，改善供需结构。

（2）存储芯片价格下跌幅度减缓，短期有望筑底反弹。截至 2023 年 8 月，年初至今 DRAM 现货价格下跌 30%左右，虽然 DRAM 厂商较早计划减产，但由于今年服务器需求 不如预期，服务器 DRAM 供应整体溢出严重，部分现货 DDR 颗粒供应过剩，原厂不断收 缩供应过剩的 DDR4 转向利润更高的 DDR5，市场供需状况在产能调动中持续变化，供需 两端持续博弈，部分 DRAM 行情短期承压。目前存储行情位于底部横盘阶段，市场仍然处 于争夺存量需求的阶段，在上游厂商减产、资源拉涨和消费持续复苏的带动下，预计下半 年存储行情将持续回暖。

（3）NAND Flash 价格日益趋紧，部分产品价格出现上扬趋势。截至 2023 年 8 月 28 日，SLC 2Gb 256MBx8/SLC 1Gb 128MBx8 现货价格分别为 0.79/0.82 美元，环比 7 月 28 日跌幅为 1.13%/2.26%；MLC 64Gb 8GBx8/MLC 32Gb 4GBx8 现货价格分别为 3.86/2.06 美元，环比小幅增长 0.26%/0.34%，巩固了 NAND 资源涨价趋势；3D TLC 256Gb 现货价格为 2.10 美元，环比保持不变。随着存储大厂纷纷宣布大幅减产，NAND 芯片供给端过剩现象将进一步改善，8 月渠道需求环比有所恢复，存储行情有底部反转迹 象。

（4）美光在华销售产品未通过网络安全检查，国产化自主安全可控需求凸显。2023 年 5 月 21 日，网信中国发文称，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了 网络安全审查，审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息 基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法 作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，国内关键信息基础 设施的运营者应停止采购美光公司产品。美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球第三 大存储芯片巨头，审查结果将影响美光的产品在中国市场的销售，三星、SK 海力士将逐渐 取而代之，中国的存储厂商也能获得更多市场机会，此前采购美光存储晶圆、芯片的中国 存储模组制造企业将进行产品结构调整。

（5）美光在华销售份额较高，国产替代空间广阔。根据美光科技 2022 年财报数据， 2022 财年美光营收为 307.58 亿美元，其中中国内地为 33.11 亿美元，占比为 11%，是除 美国和中国台湾外第三大市场。在美光销售的产品中，DRAM 内存是其最主要的来源， 2022 年营收 223.86 亿美元，占比 73%，NAND 闪存是第二大产品，2022 年营收 78.11 亿 美元，占比 25%。根据 IC Insights 的数据，全球车规 DRAM 市占率前三分别为美光 （45%）、北京君正（15%）和三星（11%），随着美光在华销售产品受到限制，国内车载 存储龙头北京君正最先受益；SLC NAND 领域，国内龙头东芯股份有望从中受益；此外， 根据 CINNO Research 数据，2020 年美光在全球 NOR Flash 市场占约 4%的份额，国内 NOR Flash 龙头厂商兆易创新有望加速产品升级以及提高市占率。